과정상세정보
DRAM 구조와 동작 원리
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NCS코드
19030602 / 전기·전자 > 전자기기개발 > 반도체개발 > 반도체제조
과정소개
DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정
학습대상
'반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
학습목표
1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다. 2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
강사정보
교강사 소개
엄중섭
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
이혁
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
송복남
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
내용전문가 소개
선우경- 이화여자대학교 전자공학( 학사졸업 )
총 경력 : 8년 2개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 8 년 2 개월 )
학습목차
| 회차 | 내용 |
| 1회차 | Memory introduction |
| 2회차 | DRAM Market & fabrication process |
| 3회차 | Basic concept(resistance/voltage) |
| 4회차 | Basic concept(MOS capacitor/transistor) |
| 5회차 | Basic fabrication process |
| 6회차 | CMOS process flow |
| 7회차 | DRAM cell |
| 8회차 | DRAM frontend process flow |
| 9회차 | DRAM backend process flow |
| 10회차 | DRAM 3D cell/Test |
| 11회차 | DRAM Package/component |
| 12회차 | DRAM core/Sense Amp. |
| 13회차 | DRAM refresh & timing |
| 14회차 | DRAM history & DDR |
| 15회차 | 6F2 and BL structure |
| 16회차 | LPDDR/GDDR/HBM |
교재/교구정보
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자격증 소개
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시험일정
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