과정상세정보
[반도체실무과정] 8대공정 : 불순물 주입 및 확산 공정
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NCS코드
19030602 / 전기·전자 > 전자기기개발 > 반도체개발 > 반도체제조
과정소개
반도체 8대공정 중 불순물 주입 및 확산 공정에 대해 설명할 수 있다.
학습대상
반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
학습목표
반도체 8대공정 중 불순물 주입 및 확산 공정에 대해 설명할 수 있다.
강사정보
교강사 소개
이혁
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
송복남
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
엄중섭
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
내용전문가 소개
엄중섭총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
학습목차
| 회차 | 내용 |
| 1회차 | CMOS 소개와 Implant 용어 정리 |
| 2회차 | 이온 주입의 개요 |
| 3회차 | 이온 주입에 의한 농도분포 |
| 4회차 | Ion Implant Channeling |
| 5회차 | 결함의 발생과 Annealing (1) |
| 6회차 | 결함의 발생과 Annealing (2) |
| 7회차 | 집적회로에의 응용 |
| 8회차 | Process Evaluation & Technology Trend |
| 9회차 | Diffusion의 개요 |
| 10회차 | 산화공정 개요 |
| 11회차 | Si/SiO₂ 계면과 산화막의 용도 |
| 12회차 | 산화 속도의 영향 요소와 SiO₂/Si 계면 전하 |
| 13회차 | 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건 |
| 14회차 | 확산의 정의 |
| 15회차 | ANNEAL |
| 16회차 | 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형 |
교재/교구정보
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자격증 소개
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