과정상세정보
3D-NAND flash의 이해 (중급)
미리보기
NCS코드
19030601 / 전기·전자 > 전자기기개발 > 반도체개발 > 반도체개발
과정소개
1. NAND Flash의 구조에 대해 설명할 수 있다.
2. NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.
2. NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.
학습대상
반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
학습목표
1. NAND Flash의 구조에 대해 설명할 수 있다.
2. NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.
강사정보
교강사 소개
정기권
- 경남대학교 공과대학 기계설계학과( 학사졸업 ) 총 경력 : 25년 8개월
- 삼성 Package 개발팀 (반도체연) ( 25 년 8 개월 )
- 경남대학교 공과대학 기계설계학과( 학사졸업 ) 총 경력 : 25년 8개월
- 삼성 Package 개발팀 (반도체연) ( 25 년 8 개월 )
이혁
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
송복남
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
엄중섭
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
내용전문가 소개
BRIAN- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 )
총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
학습목차
| 회차 | 내용 |
| 1회차 | NAND program operation |
| 2회차 | Inhibit bias and Self-boosting |
| 3회차 | Verify operation |
| 4회차 | ISPP and MLC concept |
| 5회차 | Back-gate tunneling and Excess program |
| 6회차 | Block erase by FN tunneling |
| 7회차 | Disturb and Cell-to-cell interference |
| 8회차 | E/W cycle endurance and Data retention |
| 9회차 | NAND controller |
| 10회차 | NAND flash market & Foundry |
| 11회차 | 3D-NAND concept |
| 12회차 | 3D-NAND process architecture |
| 13회차 | Summary (1) |
| 14회차 | Summary (2) |
| 15회차 | Summary (3) |
| 16회차 | NAND flash memory chip function |
교재/교구정보
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수강후기
과목 평점
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자격증 소개
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시험일정
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시험정보
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